เซลล์แสงอาทิตย์ชนิดซิลิคอนที่มีชั้นนาโนพอรัสซิลิคอนจากการกัดทางไฟฟ้าเคมีเป็นชั้นลดการสะท้อนแสง

บทคัดย่อ

ชั้นนาโนพอรัสซิลิคอน เป็นเนื้อซิลิคอนที่มีลักษณะเป็นรูพรุนขนาดเล็กจำนวนมาก สามารถสร้างขึ้นบริเวณผิวของแผ่นผลึกชิลิตอนทั่วไปได้โดยง่าย และประหยัดที่สุดด้วยเทคนิคการ กัดทางไฟฟ้าเคมี ในสารละลายกรดไฮโครฟอูออริค ชั้นนาโนพอรัสรัสซิลิคอนนี้มีคุณสมบัติพิเศษ สามารถดูดกลืนแสงและลดการสะท้อนแสงได้เป็นอย่างดี จึงเหมาะที่จะนำไปใช้เป็นชั้นดการ สะท้อนแสงในเซลล์แสงอาทิตข์แบบซิลิคอน ในงานวิจัยนี้ได้ศึกษาการสร้างชั้นนาในพอรัส ซิลิคอนโดยวิธีการกัดทางไฟฟ้าเคมีบนผิวหน้าของเซลล์แสงอาทิตข์แบบรอยต่อพี-เอ็น ด้วยวีธีการ เลือกสร้างชั้นนาในพอรัสซิลิคอนเฉพาะที่ ซึ่งจะไม่ทำความเสียหายให้แก่รอยต่อของเซลล์ที่อยู่ ด้านล่างแต่อย่างใด และได้ศึกษาผลของชั้นนาโนพอรัสซิลิคอนที่มีต่อพารามิเตอร์ที่สำคัญของเซตล์ แสงอาทิตย์แบบรอยต่อพี-เอ็นของซิลิคอน ผลการทดลองแสดงให้เห็นว่าเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีชั้นนา โนพอรัสซิลิคอนอยู่ที่ผิวด้านบนของเซลล์จะมีคุณสมบัติการสะท้อนแสงต่ำประมาณ 20% 20% กระแสล้ดวงจร (1) สูงกว่าเซลล์แบบธรรมคาทั่วไปซึ่งมีชั้นซิลิคอนไดออกไซค์เป็นชั้นลดการ สะท้อนแสงประมาณ 24% จากผลดังกล่าวทำให้ประสิทธิภาพในการเปลี่ยนพลังงานของเซลล์ เพิ่มขึ้น 22% และมีค่ากำลังสูงสุด (P.) เพิ่มขึ้นถึง 22% ด้วย จากผลการทดลองนี้เเสตงให้เห็นถึง ศักขภาพและความเป็นไปได้สูง ในการนำชั้นนาในพอรัสซิลิคอนจากการกัดทางไฟฟ้าเคมีไปใช้ แทนชั้นซิลิคอนไดออกไซด์เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของเซลล์ และลดค้นทุนในการผลิตเซลล์ แสงอาทิตย์แบบซิลิคอน

คำสำคัญ